RFMD(威讯联合)半导体IC射频芯片全系列-亿配芯城-三星Exynos 2400采用扇出式晶圆级封装提升性能和散热
你的位置:RFMD(威讯联合)半导体IC射频芯片全系列-亿配芯城 > 芯片资讯 > 三星Exynos 2400采用扇出式晶圆级封装提升性能和散热
三星Exynos 2400采用扇出式晶圆级封装提升性能和散热
发布日期:2024-01-20 07:37     点击次数:182

Galaxy S24系列搭载的Exynos 2400采用了新的制造工艺和封装技术,三星宣称其4LPP+工艺可提升产量及能效。Exynos 2400首次采用了扇出式晶圆级封装(FOWLP),改善了电信号传输速度并提高散热性能。这种封装方案使得搭载Exynos 2400的智能手机可以流畅运行且不易发热。据称,FOWLP技术利用更小的封装提升散热23%,进而提升多核性能达8%。

新版3DMark Wild Life极限压力测试中,Exynos 2400取得了优异成绩,超越前代产品Exynos 2200两倍, 亿配芯城 甚至与苹果的A17 Pro并驾齐驱。为保障良好散热,三星为全系Galaxy S24机型配置了冷却设备。

考虑到谷歌尚无采用类似封装技术的力作,有报道称谷歌即将发布的Pixel 9和Pixel 9 Pro或采用Tensor G4芯片。因Tensor G3散热效果欠佳,推测Tensor G4可能采用相同封装以减缓高温影响。有消息称,谷歌仍将选择三星进行生产。